產(chǎn)品型號(hào)
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產(chǎn)品分類(lèi)
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v FIB是將離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速，聚焦后作用于樣品表面，應(yīng)用于：產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像，此功能與SEM相似，用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工，通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬，氧化硅層或沉積金屬層
v 芯片領(lǐng)域應(yīng)用：IC芯片電路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射電鏡樣品制備，材料鑒定
v 液態(tài)金屬離子源：分辨率3nm@30kv 120nm@1kv
v 檢測(cè)器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可變氣壓二次電子探測(cè)器)、SESI（二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM（掃描透射電子探測(cè)器）、aBSD（背散射探測(cè)器）
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