v MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料

v 應(yīng)用方向：Ga₂O₃,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)

v 襯底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

通過載波交換實(shí)現(xiàn)：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生長速率：>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范圍由AFM在Ga2O3襯底上測(cè)量 ≤1.0 nm

v 加熱系統(tǒng)：采用鎢絲加熱，三溫區(qū)控制，溫度至1400℃

v 反應(yīng)腔室內(nèi)托盤與噴淋頭間距可調(diào)（范圍覆蓋5 mm至25 mm）

v 工藝過程中，具有實(shí)時(shí)晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監(jiān)測(cè)功能

v 搭載溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)掃描晶圓溫度mapping圖